全國咨詢熱線
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背景：熱退火是用于結(jié)晶硒化銻(Sb2Se3)薄膜的最常見后沉積技術(shù)。然而，由于處理速度慢且能源成本高，它與未來光伏電池中Sb2Se3的升級和商業(yè)化不相容。在此，首次采用一種使用毫秒···
閱讀量：3562024
背景：本研究開發(fā)了一種用于高性能全印刷無機(jī)薄膜晶體管(TFT)的印刷多層銦鎵鋅氧化物(IGZO)和銀(Ag)電極結(jié)構(gòu)的強脈沖光(IPL)退火工藝。通過使用IGZO前體和銀墨水的溶液···
閱讀量：3082024
背景：我們介紹了光子燒結(jié)作為一種通用且經(jīng)濟(jì)高效的界面處理方法，用于溶液處理的In-Ga-Zn-O薄膜晶體管，重點研究其提高操作穩(wěn)定性的潛力。我們制造了溶液處理的基于IGZO的薄膜晶···
閱讀量：3052024
背景：新興的柔性光電器件需要多材料處理能力，以充分利用對溫度敏感的基板和材料。本報告展示了光子燒結(jié)如何實現(xiàn)具有非常不同特性的材料的加工。例如，電荷載流子傳輸/阻擋金屬氧化物和透明導(dǎo)···
閱讀量：2952024
背景：In2O3是最重要的半導(dǎo)體金屬氧化物之一，主要是因為它具有寬帶隙、高電子遷移率和加工通用性。為此，可以使用可擴(kuò)展且廉價的基于溶液的沉積方法來制備高質(zhì)量的In2O3薄膜，從而使···
閱讀量：8112023
背景：金屬氧化物薄膜晶體管(TFT)為新興的透明和柔性微電子應(yīng)用提供了絕佳的機(jī)會。不幸的是，它們的性能受到與寄生效應(yīng)相關(guān)的限制的阻礙，例如寄生電極重疊電容和高接觸電阻，這會嚴(yán)重限制···
閱讀量：4152024
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